Kalah Unggul dalam Pembuatan Chip Dibandingkan Brand Lain, Nilai Saham Samsung sampai Anjlok 7%

Ilustrasi Samsung. (Reuters/Kim Hong-Ji)

INDOZONE.ID - Samsung electronic akan menggunakan teknologi chip, dan menyaingi SK Hynix sehingga akan semakin menggerakan kecerdasan buatan dengan chip kelas atas.

Permintaan chip dengan memori bandwith tinggi telah meningkat seiring dengan berjalannya waktu dan semakin populernya AI generatif.

Samsung tidak seperti brand lainnya yakni SK Hynix dan Micron Techonology yang sangat terlihat emncolok, karena tidak memiliki ikatan kerjasama dengan Nvidia untuk memasok chip HBM terbaru kepada para pemimpin chip AI tersebut.

Hal yang mendasari alasan kenapa Samsung tertinggal daripada brand lainnya karena tetap menggunakan teknologi pembuatan chip yang disebut film non konduktif (NCF) yang sebabkan masalah produksi.

Baca Juga: SpaceX Milik Elon Musk Dikabarkan Bangun Jaringan Satelit Mata-mata untuk Intelijen AS

Sementara Hynix beralih metode underfill cetakan reflow massal (MR – MUF) untuk mengatasi kelemahan NCF, sesuai dengan pengamatan para analisis dan pengamat industri.

Dikutip dari The Japan Times, Samsung baru – baru ini mengeluarkan pesanan pembelian peralatan pembuatan chip yang dapat digunakan dengan teknik MUF.

“Samsung memang baru – baru ini memang telah meningkatkan produksi HMB, dengan mengadopsi teknik MUF adalah kebanggaan bagi Samsung karena pada akhirnya juga akan mengikuti teknik pertama kali digunakan oleh HYNIX,” ujar pengamat.

Hasil produksi chip HBM3 Samsung nantinya akan mencapai sekitar 10 – 20% sementara SK Hynix lebih unggul dengan memperoleh hasil sekitar 60 % - 70% untuk produksi HBM3.

Baca Juga: Tak Hanya Tablet dan Mac, Apple Berharap Bisa Kembangkan iPhone Lipat

HBM3 dan HMB3E, chip HBM versi terbaru nyatanya sangat diminati, dengan digabungkan chip mikroprosesor inti untuk membantu memproses data dalam jumlah besar untuk aplikasi AI generatif.

Samsung sedang melakukan produsen material termasuk Nagase Jepang, untuk mendapatkan material MUF, dengan menambahkan bahwa produksi massal chip kelas atas yang menggunakan MUF kemungkinan baru selesai tahun depan dan memerlukan banyak tes.

“Samsung mengatakan teknologi NCF yang dikembangkan secara internal adalah solusi optimal untuk produk HBM yang akan digunakan dalam chip HBM3E barunya, dan kami menjalankan bisnis produk ini sesuai rencana,” kata pihak Samsung.

Nvidia dan Nagase menolak untuk mengomentari lebih lanjut karena bersifat private dan tidak harus disebarkan,. Samsung yang menggunakan MUF akan semakin besar tekanan yang dihadapi dalam persaingan chip AI dengan pasar chip HBM.

Teknologi manufaktur chip film nonkonduktif telah banyak juga digunakan oleh pembuatan chip untuk menumpuk beberapa lapisan chip dalam chipset memori bandwith tinggi yang singkat.

Pasalnya penggunaanya film tipis yang dikompresi secara termal sangat membantu untuk meminimalkan diantara tumpukan chip.

Hanya saja, seringkali ada masalah pada bahan perekat karena semakin banyak lapisan yang ditambahkan dan pembuatannya menjadi lebih rumit.

Samsung menjelaksan chip HBM3E akan memiliki sekitar 12 lapisan chip. Para pembuat chip telah mencari alternatif untuk mengatasi kelemahan tersebut.

SK Hynix telah beralih juga ke teknik underfilling cetakan reflow massal dibandingkan dengan yang lain dan menjadi vendor pertama yang memasok chip HBM3 ke Nvidia.

Pangsa pasar SK Hynix untuk HBM3 dan produk HBM yang lebih canggih untuk Nvidia diperkirakan juga akan berada diatas 80% tahun ini.

Micron telah bergabung dalam percobaan dengan chip memori bandwith tinggi bulan lalu, dengan mengumumkan chip HBM3E akan diadopsi oleh Nvidia untuk memberi daya pada chip Tensor H200 yang akan dikirimkan pada kuartal.

Seri HBM3 Samsung masih juga belum lolos kualifikasi Nvida dalam kesepakatan pasokan.

Kemunduran dalam percobaan chip AI juga diperhatikan oleh investor dengan saham anjlok 7% tahun ini tertinggal dari SK Hynix dan Micron dengan presentase 17% dan 14%.