Teknologi manufaktur chip film nonkonduktif telah banyak juga digunakan oleh pembuatan chip untuk menumpuk beberapa lapisan chip dalam chipset memori bandwith tinggi yang singkat.
Pasalnya penggunaanya film tipis yang dikompresi secara termal sangat membantu untuk meminimalkan diantara tumpukan chip.
Hanya saja, seringkali ada masalah pada bahan perekat karena semakin banyak lapisan yang ditambahkan dan pembuatannya menjadi lebih rumit.
Samsung menjelaksan chip HBM3E akan memiliki sekitar 12 lapisan chip. Para pembuat chip telah mencari alternatif untuk mengatasi kelemahan tersebut.
SK Hynix telah beralih juga ke teknik underfilling cetakan reflow massal dibandingkan dengan yang lain dan menjadi vendor pertama yang memasok chip HBM3 ke Nvidia.
Pangsa pasar SK Hynix untuk HBM3 dan produk HBM yang lebih canggih untuk Nvidia diperkirakan juga akan berada diatas 80% tahun ini.
Micron telah bergabung dalam percobaan dengan chip memori bandwith tinggi bulan lalu, dengan mengumumkan chip HBM3E akan diadopsi oleh Nvidia untuk memberi daya pada chip Tensor H200 yang akan dikirimkan pada kuartal.
Seri HBM3 Samsung masih juga belum lolos kualifikasi Nvida dalam kesepakatan pasokan.
Kemunduran dalam percobaan chip AI juga diperhatikan oleh investor dengan saham anjlok 7% tahun ini tertinggal dari SK Hynix dan Micron dengan presentase 17% dan 14%.
Dilarang mengambil dan/atau menayangkan ulang sebagian atau keseluruhan artikel di atas untuk konten akun media sosial komersil tanpa seizin redaksi
Sumber: The Guardian